Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

"Донстрой" начинает реализацию масштабного проекта в Мневниковской пойме

© "Донстрой"Проект "Остров" компании "Донстрой" в Мневниковской пойме в Москве
Проект Остров компании Донстрой в Мневниковской пойме в Москве
МОСКВА, 27 янв - РИА Недвижимость. Девелопер "Донстрой" получил разрешение на строительство первых пяти корпусов проекта "Остров" в южной части Мнёвниковской поймы на северо-западе Москвы, чья общая площадь составит 1,4 миллиона квадратных метров, из которых 700 тысяч квадратных метров придутся на жилье.
Информация о выданном разрешении на строительство была опубликована на портале информационной системы обеспечения градостроительной деятельности столицы, документ получило ООО "Специализированный застрой ТПУ "Терехово 10".
В "Донстрое" подтвердили РИА Недвижимость, что выступают фактическим девелопером проекта.
По словам генерального директора компании Алены Дерябиной, предварительный объем инвестиций в проект оценивается в 148,6 миллиардов рублей, причем примерно 20 миллиардов из них будут направлены на строительство новых дорог и инженерных сетей, образовательного кластера, торговой инфраструктуры, создание новой ландшафтной среды и мест для прогулок москвичей и других интересных точек притяжения.
В компании уточнили, что строительство первой очереди "Острова" начнется в первом квартале текущего года и завершится в 2023 году. Всего в рамках проекта на общей площади 40,4 гектара планируется построить порядка 12 тысяч квартир, а также три социальных кластера со школами, детскими садами и торгово-административными объектами.
"Донстрой" - московская девелоперская компания, специализирующаяся на строительстве премиального жилья и жилых проектов бизнес-класса. Портфель компании включает 9,8 миллиона квадратных метров недвижимости.
 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Чаты
Заголовок открываемого материала